三維激光直寫作光刻版的工藝流程和要求

　　三維激光直寫系統利用偏振態可調的激光光束對基底表面的雙折射材料實施曝光。通過控制曝光光斑尺寸及光束偏振方向改變基底上液晶分子排布，曝光后顯影便可以在基底表面形成對應的微納結構圖案。

　　三維激光直寫作光刻版的工藝流程和要求：

　　1. 制作光刻版的工藝流程：

　　a、繪制版圖文件；

　　b、轉圖，生成設備可曝光的文件格式，曝光圖形；

　　c、顯影，露出鉻層；

　　d、蝕刻，使用Cr蝕刻液濕法腐蝕；

　　e、使用濕法去除光刻掩膜版上的光刻膠層，并清洗甩干。

　　2. 制版工藝流程要求：

　　a、版圖繪制：可接受文件格式（后綴名）：CIF、DXF、GDSⅡ，文件名用全英文命名；

　　b、繪圖軟件：Klayout軟件繪制版圖，可直接生成可接受的格式文件，設備轉換出錯率低；推薦L-edit軟件制圖，不要選擇默認格式，繪制完成后通過“export”導出后綴名為可接受的格式；使用AutoCAD軟件繪圖，保存格式選擇設備可接受的格式，出錯率較高。

　　建議：每種版圖軟件保存非默認格式都有機會出現錯誤，請重新打開軟件檢查自己的版圖

　　3. 圖層：

　　一個版圖文件可以包含多個圖層，但是一塊光刻掩膜版只對應一個圖層上的圖形。如果需要制作多個光刻版，圖形之間存在套刻關系，請在繪制圖形時，將圖形繪制在同一版圖文件的不同圖層（layer）上,并且設計統一大小的邊框，各層圖形的位置必須根據套刻關系嚴格對應，并設置相應的套刻標記，以方便制版后的光刻操作。或者各個版圖文件分別保存獨立的文件（我們的設備可以選擇曝光哪一個layer,但不能選擇曝光哪一個cell）。

　　4. 版圖極性：

　　正圖（Non-Inverted）和反圖（Inverted）。正圖是指實體圖形區域（或者說陰影區域）對應掩膜版Cr層被鏤空的透光區域（polygons=glass）；反圖是指陰影圖形區域對應光刻掩膜版鉻Cr層不透光區域。默認情況版圖為正圖，有特殊說明可提前與工程師聯系。

　　5. 對稱性：

　　版圖文件中的默認圖形為掩膜版各面向上所呈現的圖形。掩膜版制好后，通過光刻機將圖形轉移到樣品表面時，圖形將會呈現水平鏡像翻轉。